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東芝電子元件及存儲裝置株式會社近日宣布，推出業界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊——“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
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